QM3016M6-VB دیتاشیت

QM3016M6-VB

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت QM3016M6-VB
حجم فایل 78.8 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت QM3016M6-VB

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: VBsemi Elec QM3016M6-VB
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 250W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 81.5nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.765nF@12.5V
  • Continuous Drain Current (Id): 100A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 970pF@12.5V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.84mΩ@10V,32A
  • Package: DFN-8(5x6)
  • Manufacturer: VBsemi Elec

محصولات مشابه